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用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。
电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场，被束缚在靶表面特定区域，增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射。是制备低维度，小尺寸纳米材料器件的必备实验手段，广泛应用于集成电路，光子晶体，低维半导体等领域。
主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW、Pd、Pt、Zn等金属薄膜，AlN、SiO2等介质薄膜。
真空镀膜室描述不锈钢钟罩+304不锈钢真空室底座尺寸: Φ300×H450mm；体积0.03m³极限真空≤6. 67x10-5pa （2×10-7Torr） (经烘烤除气后）恢复真空时间≤6.67X1..
真空镀膜室描述玻璃钟罩+304不锈钢真空室底座尺寸: Φ300×H450mm；体积0.03m³极限真空≤6. 67x10-5pa （2×10-7Torr） (经烘烤除气后）恢复真空时间≤6.67X10..
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Mop350双靶磁控溅射仪是我公司自主新研制开发的一款高真空镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等..
真空镀膜室描述材料：不锈钢1.4301 (SUS type 304), 厚度 5mm，所有焊缝连接均采用氩弧自动焊接技术；内表面镜面抛光，外表面三项处理。尺寸: Φ400×H450mm；体积0.056..
真空镀膜室描述玻璃钟罩+304不锈钢真空室底座尺寸: Φ300×H450mm；体积0.03m³极限真空≤6. 67x10-5pa （2×10-7Torr） (经烘烤除气后）恢复真空时间≤6.67X10..
真空镀膜室描述玻璃钟罩+304不锈钢真空室底座尺寸: Φ300×H450mm；体积0.03m³极限真空≤6. 67x10-5pa （2×10-7Torr） (经烘烤除气后）恢复真空时间≤6.67X10..
真空镀膜室描述材料：不锈钢1.4301 (SUS type 304), 厚度 5mm，所有焊缝连接均采用氩弧自动焊接技术；内表面镜面抛光，外表面三项处理。尺寸: 400mm×400mm×H450mm；..
适用于大多数研发应用磁控溅射源。间接冷却，夹紧式目标设计，集成阳极屏蔽组件，可以自调高低。适用于中低功率，研发和小规模生产应用。这些溅射阴极的尺寸范围从一到四英寸，可以使用任何材料，具有卓越的目标利用..
1. 溅射室极限真空度：≤6.6×10-6 Pa2. 系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7Pa.l/S3. 系统从大气开始抽气：溅射室30分钟可达到6.6×10-4 Pa；4. 系..
坚固耐用的多功能设计标准方案。该系统可以手动和自动操作，具有广泛的沉积仪器选配，包括：射频和直流溅射源，低温有机蒸发器和金属蒸发器。还有许多系统选项可用，如 石英晶体监测，高真空负载锁和加热，冷却，旋..
型号EVAP400S主真空室方形前开门结构，尺寸L×W×H:400mm×400mm×450mm真空系统配置主真空室复合分子泵、机械泵、气动闸板阀极限压力主真空室≤6. 67x10-5pa(经烘烤除气后..
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