真空镀膜室 |
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| 描述 | 材料：不锈钢1.4301 (SUS type 304), 厚度 5mm，所有焊缝连接均采用氩弧自动焊接技术；内表面镜面抛光，外表面三项处理。 尺寸: 400mm×400mm×450mm（W×H×D) |
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| 体积 | 0.072m³ |
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| 观察窗 | 门上配备玻璃观察窗（含防污染挡板），方便观察工作时的工作情况。 符合X射线防护国家标准 |
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极限真空 | ≤6. 67x10-5pa （2×10-7Torr） (经烘烤除气后） |
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恢复真空时间 | ≤6.67X10-4 pa(经烘烤除气后） |
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| 接口 | 标准接口三个(φ200)，拓展安装分子泵和插板阀用； |
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| 预留标准接口四个（CF35），拓展功能用； |
| 照明 | LED照明位于真空室侧部，方便观察真空室内部 |
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| 泄漏率 | 检漏依据GB T 32218-2015对箱体进行检测，≤1x10-10PaL/s的标准进行最终验收测试。 |
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| 真空系统 |
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| 描述 | 采用 “分子泵+机械泵”高真空系统: |
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| 分子泵 | 抽速：1200L/S，真正的准无油真空系统，采用下抽气，避免了分子泵的抽气弱点，提高了抽速；分子泵保修5年，提供损坏直接换新服务。
* 可选择进口分子泵 |
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| 真空泵 | 规格：旋片真空泵, 配带油雾过滤器, 带气镇控制 流量：36 m³/h (21 cfm), 双基片,真空度< 2 x 10-3 mbar 或干泵(可供选择) * 可选配干式真空泵 |
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| 工作电压 | AC 230 V / 50-60 Hz, 10 A 或AC 115 V / 50-60 Hz, 20 A （可供选择） |
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| 抽速 | 从大气抽至9×10-4Pa≤30min（短时间暴露大气，冲入干燥氮气后开始抽气） |
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| 阀门 | 主阀：CC-200,高真空电气联动插板阀； 前级阀/旁路阀：GDQ-40高真空气动挡板阀； |
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| 真空测量 | “两低一高”（两只电阻规测量低真空，一只电离规测量高真空） 数显复合真空计，测量范围从1×105Pa到1×10-5Pa；由PC显示和控制，可实现操作互锁联动。 * 可选配进口宽量程真空变送器 |
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| 真空测量 | 部分采用金属密封，部分采用氟橡胶圈密封； |
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| 基片台 |
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| 描述 | 放置样品的载物台采用304不锈钢制造，基片置于蒸发源正上方(全自动升降功能)，根据基片尺寸设计工装，方便用户固定样品。可定制一体化高精度刻蚀掩膜板； |
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| 旋转 | 采用步进电机控制驱动旋转，磁流体密封，电机和磁流体同轴，不会产生丢转、爬行等情况，步进电机控制精确，转速范围0-30rpm连续可调； |
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| 升降 | 采用步进电机控制驱动旋转，磁流体密封，控制精确，高度范围0-100mm连续可调； |
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| 掩膜 | 抽屉式结构，承载最大小于120×120mm 样品，配日本SMC气动基片挡板，电气联动全自动控制。 |
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2"永磁磁控溅射靶
(靶材尺寸直径50.8mm) | 结构 | 向心溅射，磁控靶与样品的距离90～140mm 可调，各靶有良好的水冷且DC/RF/MF兼容； 电动控制挡板组件：1套 配有屏蔽罩，以避免靶材之间的交叉污染(非共溅时安装使用)； 可折向上面的样品中心，靶与样品距离可调； |
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| 电源 | PID智能温控蒸发电源，带有蒸发源测温和功率调整系统，可以进行实时测温与控温，温度控制精度±1℃。 |
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数量 | 2台 |
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射频(RF)溅射电源 | 功率 | 0~600W |
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| 控制 | RS-485接口，电源功率在0-最大功率之间连续可调。 |
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数量 | 2台 |
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直流溅射电源 | 输出功率 | 0-1000W |
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| 控制 | RS-485接口，电源功率在0-最大功率之间连续可调。 |
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数量 | 1台 |
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直流偏压电源 | 描述 | 0~1000W |
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| 控制 | RS-485接口，电源功率在0-最大功率之间连续可调。 |
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数量 | 1台 |
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| 控制系统 |
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| 描述 | 采用windows操作平台和cotrl2000控制系统，采用IPC+network技术，实现整机主要部件的参数化设置、实施实时监控及故障智能诊断以及膜厚全自动监控，有自动和手动控制两种模式。除取放样品外，其它操作过程全部在PC上使用软件控制；提供真空系统、工艺设置、充放气系统等友好人机操作界面；在工控机上可通过配方设置参数，实现对程序工艺过程和设备参数的设置、储存和打印。 |
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| 特点 | 能够有效解决镀膜的准确、稳定和可靠性。 完善的程序互锁，完备的防误操作设计及保护；系统缺水、过流过压等异常情况进行报警并执行相应保护措施。 采用丰富I/O接口设计，充分满足扩展与外连设备的功能需求。 显示控制镀膜机的舱门开启/关闭。 镀膜工艺、工序、膜厚，方便并且保存打印。 |
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膜厚监测、控制系统 |
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| 描述 | 采用石英晶振膜厚控制仪，水冷膜厚探头安装在基片台附近，工控机连接。膜厚仪用以实时监测镀膜速率和终厚，精度可达±1A（0.1nm）,实时信息反馈给工控机 ,若镀膜达到设置厚度,可自动控制电源,停止镀膜,实现自控膜厚之目的。 |
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| 范围 | 监测厚度范围：1Å～99µ9999Å，分辨率1Å；监测速率范围：0.1Å～9999.9Å.S/s，分辨率0.1Å |
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特点 | 镀膜工艺、工序、膜厚设置均在PC上，可实现全过程自动化控制，可在PC上设定镀膜工艺，记录数据。 |
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水冷系统 |
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描述 | 冷却水路8进8出，总进水采用水压继电器控制。 总进水与出水接1P制冷循环水机，控温范围10–25 ℃。给靶、金属源、分子泵、磁流体提供稳定的制冷循环水，保证设备稳定运行。 |
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选配设备 |
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| 基片台 | 加热 | 采用真空专用铠装加热丝，避免了传统加热元件污染真空室、污染基片、寿命短、需经常维护等问题。加热温度为：室温~300℃，温度控制采用进口日本岛电PID智能温控仪，控温精度±1℃。 |
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| 水冷 | 采用步进电机控制驱动旋转，动密封，一进一出水流。 |
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| 液氮冷却 | 专利产品：采用步进电机控制驱动旋转，磁流体密封，电机和磁流体同轴，实测温度-160 ℃ |
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| 选片镀膜 | 专利产品：任意选片镀膜，归位自动转移对齐, 可调沉积高度。 |
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| 自动配位镀膜 | 专利产品：选片无级配选镀膜功能，回零归位自动转移对齐, 可调沉积高度 |
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| 无级翻转和旋转 | 专利产品：实现基片的横向和竖向旋转，无级旋转和加热，可实现高均匀度的镀膜。 |
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| 3"永磁控溅射靶（靶材尺寸D76.2mm） | 向心溅射，磁控靶与样品的距离90～110mm 可调，有良好的水冷且DC/RF/MF兼容 |
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| 2"强磁控溅射靶（靶材尺寸D56.8mm） | 强磁设计，向心溅射，磁控靶与样品的距离90～110mm 可调，有良好的水冷且DC/RF/MF兼容 |
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| 3"强磁控溅射靶（靶材尺寸D76.2mm） | 强磁设计，向心溅射，磁控靶与样品的距离90～110mm 可调，有良好的水冷且DC/RF/MF兼容 |
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| 射频切换器 | 设计1切换2的换挡档位功能（即1套电源可非同时供2套磁控溅射靶使用），换挡前后一般不需要调整电源除功率设定等之外的其它参数。 |
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| 其他说明 |
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| 产品认证 | ISO9001认证、CE认证、UL认证 |
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| 质保期 | 一年质保期，终身维修 |
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| 应用注意事项 | 详情参阅说明书危险、警告、注意等条款 |
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| 包装尺寸(W×D×H) | |
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| 重量 | |
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